Si3499DV
P-channel 1.5-v (g-s) mosfet
|
Версия для печати
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 42nC @ 4.5V |
| Power - Max | 1.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSOP (0.065", 1.65mm Width) |
| Корпус | 6-TSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Si3499DV (MOSFET) P-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET
Производитель:
|
