Si3475DV
P-channel 200-v (d-s) mosfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.61 Ohm @ 900mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 950mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 500pF @ 50V |
| Power - Max | 3.2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSOP (0.065", 1.65mm Width) |
| Корпус | 6-TSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Si3475DV (MOSFET) P-Channel 200-V (D-S) MOSFET
Производитель:
|
