Si3430DV

Версия для печати

Технические характеристики Si3430DV

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 2.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	6.6nC @ 10V
Power - Max	1.14W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSOP (0.065", 1.65mm Width)
Корпус	6-TSOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Si3430DV (MOSFET)

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

Производитель:
Vishay

Si3430DV datasheet
89.4 Кб