Si1403BDL
P-channel 2.5-v (g-s) mosfet
Версия для печати
Технические характеристики Si1403BDL
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 4.5nC @ 4.5V |
| Power - Max | 568mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SC-70-6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
Si1403BDL (MOSFET)
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
Производитель:
Vishay
|
