Si1039X

Версия для печати

Технические характеристики Si1039X

Серия	TrenchFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	165 mOhm @ 870mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	870mA
Vgs(th) (Max) @ Id	450mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Power - Max	170mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOT-563
Корпус	SC-89-6

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Si1039X (MOSFET)

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

Производитель:
Vishay

Si1039X datasheet
89.2 Кб