Si1022R

Версия для печати

Технические характеристики Si1022R

Серия	TrenchFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.25 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	330mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	0.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	30pF @ 25V
Power - Max	250mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-75A
Корпус	SC-75A

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Si1022R (MOSFET)

N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor

Производитель:
Vishay

Si1022R datasheet
65.9 Кб