Si1016X
Complementary n- and p-channel 1.8-v (g-s) mosfet
Версия для печати
Технические характеристики Si1016X
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 485mA, 370mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
| Power - Max | 250mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-563 |
| Корпус | SC-89-6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
Si1016X (MOSFET)
Complementary N- and P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
Производитель:
Vishay
|
