PHK04P02T

Версия для печати

Технические характеристики PHK04P02T

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 1A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.66A
Vgs(th) (Max) @ Id	600mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	7.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	528pF @ 12.8V
Power - Max	5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHK04P02T (MOSFET)

P-channel enhancement mode MOS transistor

Производитель:
NXP

PHK04P02T datasheet
109.3 Кб