PHD34NQ10T

Версия для печати

Технические характеристики PHD34NQ10T

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 17A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	35A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1704pF @ 25V
Power - Max	136W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHD34NQ10T (MOSFET)

N-канальный TrenchMOS™ транзистор

Производитель:
NXP

PHD34NQ10T datasheet
120.6 Кб