NTTS2P03R2

Версия для печати

Технические характеристики NTTS2P03R2

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 2.48A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	22nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	500pF @ 24V
Power - Max	600mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Корпус	Micro8™
Product Change Notification	LTB Notification 08/Jan/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTTS2P03R2 (MOSFET)

Power MOSFET ?2.48 Amps, ?30 Volts P?Channel Enhancement Mode Single Micro8 Package

Производитель:
ON Semiconductor

NTTS2P03R2 datasheet
75 Кб