NTS2101P

Версия для печати

Технические характеристики NTS2101P

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 1A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.4A
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	6.4nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	640pF @ 8V
Power - Max	290mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-70, SOT-323
Корпус	SC-70-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTS2101P (MOSFET)

Power MOSFET ?8.0 V, ?1.4 A, Single P?Channel, SC?70

Производитель:
ON Semiconductor

NTS2101P datasheet
61.1 Кб