NTMS4802N

Версия для печати

Технические характеристики NTMS4802N

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 18A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	36nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5300pF @ 25V
Power - Max	910mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTMS4802N (MOSFET)

Power MOSFET 30 V, 18 A, N?Channel, SOIC?8

Производитель:
ON Semiconductor

NTMS4802N datasheet
107.9 Кб