NTMS4503N

Версия для печати

Технические характеристики NTMS4503N

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 14A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	28V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	23nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2400pF @ 16V
Power - Max	930mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTMS4503N (MOSFET)

Power MOSFET 28 V, 14 A, N?Channel, SOIC?8

Производитель:
ON Semiconductor

NTMS4503N datasheet
63 Кб