NTMD2P01R2

Версия для печати

Технические характеристики NTMD2P01R2

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	18nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	750pF @ 16V
Power - Max	710mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN
Product Change Notification	Wire Change 20/Aug/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTMD2P01R2 (MOSFET)

Power MOSFET ?2.3 Amps, ?16 Volts Dual SOIC?8 Package

Производитель:
ON Semiconductor

NTMD2P01R2 datasheet
142.1 Кб