NTJS3157N

Версия для печати

Технические характеристики NTJS3157N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 4A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	400mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	500pF @ 10V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус	SOT-363

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTJS3157N (MOSFET)

Trench Power MOSFET 20 V, 4.0 A, Single N?Channel, SC?88

Производитель:
ON Semiconductor

NTJS3157N datasheet
133.7 Кб