NTJD5121N
Power mosfet 60 v, 295 ma, dual n-channel with esd protection, sc-88
|
Версия для печати
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 500mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 295mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 26pF @ 20V |
| Power - Max | 250mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SOT-363 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
NTJD5121N (MOSFET) Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SC-88
Производитель:
|
