NTHD4401P

Версия для печати

Технические характеристики NTHD4401P

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	2 P-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	155 mOhm @ 2.1A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	300pF @ 10V
Power - Max	1.1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-ChipFET™
Корпус	ChipFET

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTHD4401P (MOSFET)

Power MOSFET ?20 V, ?3.0 A, Dual P?Channel, ChipFET

Производитель:
ON Semiconductor

NTHD4401P datasheet
74.8 Кб