NTHD2102P
Power mosfet ?8.0 v, ?4.6 a dual p?channel chipfet
Версия для печати
Технические характеристики NTHD2102P
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 16nC @ 2.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 715pF @ 6.4V |
| Power - Max | 1.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-ChipFET™ |
| Корпус | ChipFET |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
NTHD2102P (MOSFET)
Power MOSFET ?8.0 V, ?4.6 A Dual P?Channel ChipFET
Производитель:
ON Semiconductor
|
