NTGD4161P
Power mosfet ?30 v, ?2.3 a, dual p?channel, tsop?6
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 2.1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 7.1nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 281pF @ 15V |
| Power - Max | 600mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-74, SOT-457 |
| Корпус | 6-TSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
NTGD4161P (MOSFET) Power MOSFET ?30 V, ?2.3 A, Dual P?Channel, TSOP?6
Производитель:
|
