NTD3817N

Версия для печати

Технические характеристики NTD3817N

Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.9 mOhm @ 15A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)	16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	10.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	702pF @ 12V
Power - Max	1.2W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTD3817N (MOSFET)

Power MOSFET 16 V, 34.5 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK

Производитель:
ON Semiconductor

NTD3817N datasheet
94.4 Кб