NTB23N03R

Версия для печати

Технические характеристики NTB23N03R

FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	3.76nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	225pF @ 20V
Power - Max	37.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTB23N03R (MOSFET)

Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N-Channel D2PAK

Производитель:
ON Semiconductor

NTB23N03R datasheet
87.6 Кб