IXTY01N100

Версия для печати

Технические характеристики IXTY01N100

Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 Ohm @ 100mA, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	100mA
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	6.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	54pF @ 25V
Power - Max	25W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	TO-252AA

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTY01N100 (MOSFET)

High Voltage MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTY01N100 datasheet
85.7 Кб