IXTN30N100L
Linear power mosfet with extended fbsoa
Версия для печати
Технические характеристики IXTN30N100L
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 500mA, 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 30A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 545nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 13700pF @ 25V |
| Power - Max | 800W |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | SOT-227-4, miniBLOC |
| Корпус | SOT-227B |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
IXTN30N100L (MOSFET)
Linear Power MOSFET With Extended FBSOA
Производитель:
IXYS
|
