IXTL2x180N10T
Trenchmv power mosfets common-gate pair
Версия для печати
Технические характеристики IXTL2x180N10T
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Серия | TrenchMV™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.4 mOhm @ 50A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 100A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 151nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 6900pF @ 25V |
| Power - Max | 150W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | ISOPLUSi5-Pak™ |
| Корпус | ISOPLUSi5-Pak™ |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
IXTL2x180N10T (MOSFET)
TrenchMV Power MOSFETs Common-Gate Pair
Производитель:
IXYS
|
