IXTC110N25T

Версия для печати

Технические характеристики IXTC110N25T

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 55A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	50A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	157nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	9400pF @ 25V
Power - Max	180W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	ISOPLUS220™
Корпус	ISOPLUS220™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTC110N25T (MOSFET)

Trench Gate Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTC110N25T datasheet
186.9 Кб