IXFX60N55Q2

Версия для печати

Технические характеристики IXFX60N55Q2

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HiPerFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	88 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	550V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	60A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	200nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	6900pF @ 25V
Power - Max	735W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	PLUS247™-3
Корпус	PLUS247™-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFX60N55Q2 (MOSFET)

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

Производитель:
IXYS

IXFX60N55Q2 datasheet
92.6 Кб