IXFR20N80P

Версия для печати

Технические характеристики IXFR20N80P

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	PolarHV™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	85nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4680pF @ 25V
Power - Max	166W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	ISOPLUS247™
Корпус	ISOPLUS247™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFR20N80P (MOSFET)

PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS220

Производитель:
IXYS

IXFR20N80P datasheet
133.9 Кб