IXFN50N80Q2
Hiperfet power mosfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HiPerFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 500mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 50A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 13500pF @ 25V |
| Power - Max | 890W |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | SOT-227-4, miniBLOC |
| Корпус | SOT-227B |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IXFN50N80Q2 (MOSFET) HiPerFET Power MOSFET
Производитель:
|
