IXFN34N100

Версия для печати

Технические характеристики IXFN34N100

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HiPerFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	34A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	380nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	9200pF @ 25V
Power - Max	700W
Тип монтажа	Шасси
Корпус (размер)	SOT-227-4, miniBLOC
Корпус	SOT-227B

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFN34N100 (MOSFET)

HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET

Производитель:
IXYS

IXFN34N100 datasheet
570.1 Кб