IXFN280N085

Версия для печати

Технические характеристики IXFN280N085

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HiPerFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4 mOhm @ 100A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	85V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	280A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	580nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	19000pF @ 25V
Power - Max	700W
Тип монтажа	Шасси
Корпус (размер)	SOT-227-4, miniBLOC
Корпус	SOT-227B

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFN280N085 (MOSFET)

HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET

Производитель:
ISSI

IXFN280N085 datasheet
163.1 Кб