IXFN100N50P

Версия для печати

Технические характеристики IXFN100N50P

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	PolarHV™
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	49 mOhm @ 50A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	90A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	240nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	20000pF @ 25V
Power - Max	1040W
Тип монтажа	Шасси
Корпус (размер)	SOT-227-4, miniBLOC
Корпус	SOT-227B

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFN100N50P (MOSFET)

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXFN100N50P datasheet
152.6 Кб