IXFK30N100Q2

Версия для печати

Технические характеристики IXFK30N100Q2

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HiPerFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	30A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	186nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	8200pF @ 25V
Power - Max	735W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-264AA
Корпус	TO-264AA

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFK30N100Q2 (MOSFET)

HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class

Производитель:
IXYS

IXFK30N100Q2 datasheet
112.9 Кб