IXFB40N110P

Версия для печати

Технические характеристики IXFB40N110P

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	Polar™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	260 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1100V (1.1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	40A
Vgs(th) (Max) @ Id	6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	310nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	19000pF @ 25V
Power - Max	1250W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	3-PLUS264™
Корпус	PLUS264™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFB40N110P (MOSFET)

Polar Power MOSFET HiPerFET

Производитель:
IXYS

IXFB40N110P datasheet
120.3 Кб