IXFB100N50P

Версия для печати

Технические характеристики IXFB100N50P

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PolarHV™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	49 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	100A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	240nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	20000pF @ 25V
Power - Max	1250W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	3-PLUS264™
Корпус	PLUS264™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFB100N50P (MOSFET)

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXFB100N50P datasheet
173.5 Кб