|
Версия для печати
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 160A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 59nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4880pF @ 15V |
| Power - Max | 135W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| Корпус | I-Pak |
|
IRLU8743PBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЖИР ПАЯЛЬНЫЙ, 20 ГР. |
|
|
||||||
| ПАЯЛЬНИК- 220/ 80 | МАСШТАБ |
|
|
|||||
| ПАЯЛЬНИК- 220/ 80 |
|
|