IRLR8715CPBF

Версия для печати

Технические характеристики IRLR8715CPBF

Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.4 mOhm @ 21A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	51A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	830pF @ 13V
Power - Max	44W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLR8715CPBF (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRLR8715CPBF datasheet
277.8 Кб