IRLR3802

Версия для печати

Технические характеристики IRLR3802

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	84A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	41nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2490pF @ 6V
Power - Max	88W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLR3802 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRLR3802 datasheet
281.8 Кб