Версия для печати
Технические характеристики IRFP22N50APBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	230 mOhm @ 13A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	22A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3450pF @ 25V
Power - Max	277W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

IRFP22N50APBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET Производитель: Vishay IRFP22N50APBF datasheet 206.3 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		470МКФ 63 (16X20)105°C
		AD822ANZ		2 Операционный усилитель полев. вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, ...	ANALOG DEVICES	1 016	671.58
		AD822ANZ		2 Операционный усилитель полев. вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, ...	ANALOG
		AD822ANZ		2 Операционный усилитель полев. вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, ...			800.00
		AD822ANZ		2 Операционный усилитель полев. вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, ...	Analog Devices Inc
		AD822ANZ		2 Операционный усилитель полев. вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, ...	США
		AD822ANZ		2 Операционный усилитель полев. вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		AD822ANZ		2 Операционный усилитель полев. вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, ...	ANALOG DEVICES	19
		AD822ANZ		2 Операционный усилитель полев. вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, ...	ADI
		AD822ANZ		2 Операционный усилитель полев. вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	183
		IP113ALF			IC PLUS
		IP113ALF
		IP113ALF			4-7 НЕДЕЛЬ	160
		RA13H1317M-101					3 800.00
		RA13H1317M-101			MITSUBISHI
		RA13H1317M-101			MIT
		RA13H1317M-101			4-7 НЕДЕЛЬ	27
		КТ3117А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...		3	277.50
		КТ3117А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...	МИНСК
		КТ3117А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...	ДАЛЕКС
		КТ3117А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"