IRF7756

Версия для печати

Технические характеристики IRF7756

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	2 P-Channel (Dual)
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	18nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1400pF @ 10V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Корпус	8-TSSOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7756 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Dual P-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7756 datasheet
195.2 Кб