IRF7726

Версия для печати

Технические характеристики IRF7726

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	69nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2204pF @ 25V
Power - Max	1.79W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Корпус	Micro8™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7726 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7726 datasheet
128.1 Кб