|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 14A, 7V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 14A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 100nC @ 7V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3520pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
|
IRF7484Q (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IR3220S |
|
Микросхема управления ЭД постоянного тока с полумостовым инвертором и схемой ... | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IR3220S |
|
Микросхема управления ЭД постоянного тока с полумостовым инвертором и схемой ... |
|
1 060.00 | |||
|
|
IR3220S |
|
Микросхема управления ЭД постоянного тока с полумостовым инвертором и схемой ... | 4-7 НЕДЕЛЬ | 444 |
|
||
| IRFR3707ZCTRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRFR3707ZCTRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER | 1 339 |
|
|||||
| VNH3SP30-E |
|
800.00 | ||||||
| VNH3SP30-E | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| VNH3SP30-E | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| VNH3SP30-E | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|||||
| VNH3SP30-E | 4-7 НЕДЕЛЬ | 199 |
|