IRF6718

Версия для печати

Технические характеристики IRF6718

Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.7 mOhm @ 61A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	61A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 150µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	96nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	6500pF @ 13V
Power - Max	4.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DirectFET™ Isometric L6
Корпус	DIRECTFET L6

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF6718 (MOSFET)

N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET L2 package

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF6718 datasheet
285.4 Кб