IRF5806
Hexfet power mosfets discrete p-channel
|
Версия для печати
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 86 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 11.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 594pF @ 15V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | Micro6™(TSOP-6) |
| Корпус | Micro6™(TSOP-6) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF5806 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
Производитель:
|
