IRF5805

Версия для печати

Технические характеристики IRF5805

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	98 mOhm @ 3.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	511pF @ 25V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	Micro6™(TSOP-6)
Корпус	Micro6™(TSOP-6)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF5805 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF5805 datasheet
131 Кб