|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 90A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 90A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 90µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 170nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 13000pF @ 25V |
| Power - Max | 150W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | PG-TO220-3 |
|
IPP90N06S4L-04 (MOSFET) N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
2SC4467 |
|
Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694) | SANKEN |
|
|
|
|
|
|
2SC4467 |
|
Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694) | SK |
|
|
|
|
|
|
2SC4467 |
|
Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694) | 1 | 309.96 | ||
|
|
|
2SC4467 |
|
Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694) | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
2SC4467 |
|
Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694) | ISCSEMI |
|
|
|
|
|
|
BA3121F-E2 |
|
Rohm Semiconductor |
|
|
||
| KG-400-330 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ 400 В | TREC |
|
|
|||
| KG-400-330 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ 400 В | 10 | 348.00 | ||||
|
|
|
OY331KE |
|
Ohmite |
|
|
||
| КТ829А2 | 1 | 36.00 | ||||||
| КТ829А2 | КРЕМНИЙ | 84 | 53.09 | |||||
| КТ829А2 | БРЯНСК | 472 | 35.80 | |||||
| КТ829А2 | 591 |
|
|