FQT13N06L

Версия для печати

Технические характеристики FQT13N06L

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 1.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	6.4nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	350pF @ 25V
Power - Max	2.1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQT13N06L (MOSFET)

60V LOGIC N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQT13N06L datasheet
676 Кб