FQI32N12V2

Версия для печати

Технические характеристики FQI32N12V2

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	QFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	32A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	53nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1860pF @ 25V
Power - Max	3.75W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Корпус	I2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQI32N12V2 (MOSFET)

120V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQI32N12V2 datasheet
683 Кб