FQD12N20L

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FQD12N20L		154.80
FQD12N20L		154.80

Версия для печати

Технические характеристики FQD12N20L

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 4.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	21nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1080pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQD12N20L (MOSFET)

200V N-Channel Logic Level QFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQD12N20L datasheet
606.9 Кб