FQB6N60

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FQB6N60	5	166.32

Версия для печати

Технические характеристики FQB6N60

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 2.75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	810pF @ 25V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D²PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQB6N60 (MOSFET)

600V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQB6N60 datasheet
879.7 Кб