DMN66D0LDW
Dual n-channel enhancement mode field effect transistor
Версия для печати
Технические характеристики DMN66D0LDW
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 115mA, 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 115mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 23pF @ 25V |
| Power - Max | 250mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SOT-363 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
DMN66D0LDW (MOSFET)
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Производитель:
Diodes Incorporated
|
